Сегодня южнокорейская компания Samsung объявила о начале массового выпуска 3 нм функциональных узлов микропроцессоров. Таким образом, Samsung стал первым в мире производителем, объявившим о массовом производстве 3 нм чипов. Крупнейший в мире производитель чипов, тайваньская TSMC, планирует запустить свое производство 3 нм чипов также в этом году.
Новые процессоры от Samsung работают с использованием архитектуры Gate-All-Around (GAA) и собственной технологии Samsung под названием Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Компания заявляет, что благодаря этим технологиям ее новые чипы будут потреблять на 45% меньше энергии, чем предыдущее поколение 5 нм чипов, при этом их производительность выше на 23%, а площадь поверхности меньше на 16%.
В прошлом месяце Samsung объявила, что планирует потратить 355 миллиардов долларов в течение следующих пяти лет на то, что она называет стратегическим бизнесом, включая полупроводники. В прошлом году компания объявила, что потратит 17 миллиардов долларов на строительство нового завода по производству чипов в Тейлоре, штат Техас.
Напомню, что TSMC утвердила переход на 2-нм техпроцесс с новой архитектурой в течение следующих трех лет.