Тайваньский титан вступил в гонку с Samsung и Intel за разработку самых продвинутых полупроводников.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. заявила, что начнет выпускать микросхемы, изготовленные по 2-нанометровому техпроцессу, к 2025 году. Таким образом, TSMС вступает в конкурентную борьбу с Samsung Electronics и Intel, которые недавно сделали аналогичные заявления.
Что планирует тайваньский титан TSMC?
TSMC: микросхемы с топологией 2-нм будут основаны на архитектуре нанолистового транзистора, которая обеспечит значительные улучшения в производительности чипа и его энергоэффективности. Архитектура нанолистового транзистора кардинально отличается от инфраструктуры Finfet, используемой для чипов 5-нм, которые считаются самыми продвинутыми микросхемами на рынке. Новая технология потребует от TSMC существенных инвестиций.
* FinFET - аббревиатура от «Fin field effect transistor (fin)»- " Полевой транзистор Fin. Это транзистор, который построен на подложке из силиконового изолятора. Транзистор FinFET состоит из истока, контакта стока и затвора для управления протеканием тока. Компания Intel была первой, кто использовал технологию FinFET в 2012. FinFET-транзисторы представляют собой трехмерные структуры, которые накладываются друг на друга поверх подложки.
Технология FinFET постепенно начинает устаревать, поскольку имеет определенные ограничения. Нанолистовые транзисторы используют технологию, в которой транзисторы имеют свои плавники, сложенные вертикально, а не по горизонтали. Отсюда и название «нано-листы» (nanosheet), возникшее из-за его расположения, аналогичного расположению листов книги.
TSMC впервые явно обозначила сроки выпуска 2-нм чипов. Производитель чипов сейчас ускоренно готовит выпуск чипов на 3-нм техпроцессе во второй половине этого года. Основная производственная площадка для этих чипов находится в тайваньском городе Tainan.
Заявление TSMC совпало с аналогичными заявлениями конкурентов
Samsung объявил, что начнет выпуск 2нм чипов в 2025 году. Intel планирует выпустить первую партию более продвинутых чипов в конце 2024 года.
Япония работает с американскими производителями над созданием технологии производства 2-нм чипов и планирует выпуск продукции в 2025 году.
Intel намеревается вернуть лидерство в производстве к 2025 году. Компания впервые озвучила свою новую технологию микросхем на 1,8-нм техпроцессе, которую назвала 18A, в середине 2021 года. В том же году Pat Gelsinger, Intel CEO, заявил, что эта новая технология опережает график на шесть месяцев и запуск в производство состоится в конце 2024года.
В апреле этого года Samsung назвала конец июня 2022 года сроком запуска чипов 3-нм.
Чем тоньше тех процесс, ем более продвинутый чип, и тем сложнее расположить много транзисторов на тоненькую микросхему. Сроки и производственные мощности для массового производства продвинутых чипов являются индикатором технологического превосходства компании-производителя.
Считается, что только TSMC, Intel и Samsung способны произвести суперпродвинутые чипы. Semiconductor Manufacturing International Co., китайский производитель чипов, хотел бы реализовать такие же амбициозные планы, но попал в санкционный список США, вследствие чего лишился доступа к критически важному оборудованию для производства чипов.
Аналитики считают, что Samsung и Intel оспаривают лидерство TSMC в производстве передовых чипов.
Lee Seung-woo, старший аналитик в Eugene Investment в Сеуле: «На рынке доминирует TSMC. Сейчас Samsung совершает колоссальные усилия, чтобы догнать тайваньскую компанию. Intel вряд ли сможет сделать такой рывок, так как она уже не та, что была раньше. Я уверен, что рынок будет расширяться, и техно титаны будут яростно конкурировать».
* Eugene Investment & Securities Co., Ltd. – старейшая инвестиционная компания Южной Кореи. Основана в 1954 году. Специализируется на брокерских услугах, инвестиционном банкинге, управлении активами.