В Китае разработали флеш-память в 100 000 раз быстрее чем SRAM

Погоня за энергонезависимой памятью со скоростью ниже одной наносекунды, остаётся давней проблемой в области технологий памяти. В особенности для высокоскоростной энергозависимой статической памяти с произвольным доступом и энергонезависимой флэш-памяти. Поскольку энергонезависимая память используется наиболее широко, то работа по увеличению скорости является важным этапом. Скорость флэш-памяти ограничена низкой эффективностью программы из-за электрического поля, и не удаётся достичь стабильной скорости менее одна наносекунда. Однако, есть новая разработка двумерной флэш-памяти с графеновым каналом Дирака, основанной на двумерно-улучшенном механизме инжекции горячих носителей, поддерживающем как инжекцию электронов, так и дырок. Флэш-память канала Дирака показывает скорость 400 пикосекунд (0,4 наносекунды), энергонезависимое хранилище и надёжную выносливость более 5,5 × 10 в шестой степени циклов.

Результаты испытаний подтверждают, что тонко корпусной канал может оптимизировать распределение горизонтального электрического поля ( E y ), а улучшенная эффективность программы с помощью Ey увеличивает ток инжекции до 60,4 пА мкм −1 при | V DS | = 3,7 В. Результаты показывают, что скорость энергонезависимой флэш-памяти может превышать скорость самой быстрой энергозависимой статической памяти с произвольным доступом с той же длиной канала.

Данный прототип обладает маленькой ёмкостью, всего чуть меньше 1 килобайта, но после отладки процесса, тестов и изучения, китайцы планируют масштабировать и объём и количество ячеек памяти, доведя её, впоследствии, до возможности коммерческого использования.

Источник: