Китайские производители наращивают мощности для производства компонентов для электрокаров
В то время как слабый спрос на чипы сохраняется, нехватка чипов для автомобилей остается актуальной. Это сподвигло китайских производителей чипов, таких как Zhuzhou CRRC Times Electric (TEC) увеличить инвестиции в мощности для производства запчастей электромобилей, таких как IGBT* и MOSFET*. Цель инвестиций – обеспечить внутренний рынок полупроводниками.
* IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor или биполярный силовой транзистор с изолированным затвором – элемент из двух транзисторов в общей полупроводниковой структуре, устроенный по каскадной схеме. Биполярный транзистор образует силовой канал, полевой – канал управления. Объединение полупроводниковых элементов реализовано структурой элементных ячеек в одном кристалле.
Полупроводниковые приборы IGBT обладают неоспоримыми достоинствами:
· Небольшая мощность управления.
· Высокая скорость переключения.
· Маленькие потери при открытом транзисторе.
· Высокое номинальное напряжение силового канала.
* MOSFET –Metal-Oxide-Semiconductor (Металл – Окисел – Полупроводник) + Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). MOSFET – это по сути МОП-транзистор. В качестве диэлектрического материала в транзисторе в основном используется окись кремния (SiO2). Области применения MOSFET: импульсные источники и зарядные устройства.
Китай стал крупнейшим в мире рынком электромобилей, но остается зависимым от импорта низко- и среднечастотных силовых модулей. Стремление преодолеть зависимость от внешних поставщиков стимулирует китайских производителей инвестировать в новые технологии и производственные мощности.
Китайская TEC недавно объявила об инвестициях в размере 11,12 млрд юаней (US$1,55 млрд) в расширение производства низко-и среднечастотных компонентов для силовых модулей. Инвестиции включают в себя 5,83 млрд юаней на удвоение мощностей Yixing фабрики в провинции Jiangsu для производства 8-дюймовых пластин, используемых в производстве модулей для электрокаров. Фабрика будет выпускать до 60 000 пластин в месяц.
Другие 5,29 млрд юаней пойдут на увеличение мощностей Zhuzhou фабрики в провинции Hunan. Фабрика будет выпускать до 30 000 компонентов для силовых модулей, используемых в электрокарах, промышленной и бытовой техники.
Дочернее подразделение TEC недавно заключило договор на 4 года с французским поставщиком Valeo. Китайская компания будет производить IGBT модули. Выпуск продукции назначен на 2023 год. Совокупные поставки превысят 2,5 млн комплектов в течении 4-х лет. Сделка позволит TEC выйти на международный рынок.
Многие китайские компании продумывают планы расширения
Jiangsu Jie Jie Microelectronics только что закончил первый этап строительства высокотехнологичного завода по производству силовых компонентов и приступил к производству первой партии продукции. Компания планирует расширить производственные мощности для производства MOSET на фабриках в провинции Wuxi и Shanghai.
West Microelectronics (Chongqing), дочернее подразделение China Resources Microelectronics, реализует 7,55 миллионный инвестиционный проект по строительству 12-дюймовых пластин для низко- и средне частотных силовых компонентов. Фабрика будет выпускать до 30 000 деталей в месяц. Среди инвесторов компании китайский инвестиционный фонд China IC Industry Investment Fund, известный как Big Fund.
Xiamen Silan Microchip Manufacturing, подразделение Hangzhou Silan Microelectronics, планирует ввести во вторую фазу эксплуатации завод в провинции Xiamen в конце 2022 года. Завод будет выпускать до 60 000 12-дюймовых пластин, среди которых 20 000 компонентов для IGBT устройств.