SK hynix запустила массовое производство стеков памяти HBM3E

Южнокорейская компания SK hynix является второй в мире компанией по изготовлению чипов памяти (первое место прочно занимается компания SAMSUNG). Ее крупнейшие клиенты уже сделали заказы на новые микросхемы запоминающих устройств пятого поколения — HBM3E.

Очередь на покупку выстроилась длиной в 1 год. Пока неизвестно, кто именно решил закупать их, но эксперты утверждают, что Nvidia и AMD точно будут в этом списке. Следует отметить, что объем передаваемых данных за 1 секунду, у микросхем памяти нового поколения, может достичь 1180 Гбайт.

Вместе с экспертами компании «ЗУМ-СМД» рассмотрим перспективы и возможности использования новейших стеков памяти.

Совсем недавно разработчики SK hynix анонсировали четвертую модель линейки HBM с рекордной на тот момент скоростью передачи данных — 819 ГБ/с. Но это уже не предел скорости для памяти. У нового, пятого поколения HBM3E чипов, выпускаемых этой компанией, молниеносность достигла невероятных пределов. Скорость передачи данных возросла до 1,15 — 1,18 Тб/с.

Интерфейс новых микросхем может передать 200 — 300 полнометражных фильмов в Full HD качестве в секунду. Причём только что появившийся стандарт имеет обратную совместимость с уже существующими компонентами линейки HBM3.

Достичь такой скорости разработчикам удалось, изменив технологию теплоотвода кристалла. Так как ограничением быстродействия до сих пор является чрезмерный нагрев полупроводников при запредельном росте частоты и объёма передаваемых данных. Показатель теплопроводности в чипах памяти последнего поколения, благодаря флагманской технологии MR-MUF, удалось улучшить на 10%. Благодаря этому и выросла скорость.

Использовать такую память можно будет во многих сферах, начиная с графики игр и заканчивая искусственным интеллектом. Для последнего варианта, по большей части, этот тип памяти и создавался. ИИ набирает обороты в своём развитии и для него требуются более передовые стеки памяти:

Микросхемы оперативной памяти линейки HBM3 имеют максимальный объём в 27 Гб. Их стеки состоят из 12 слоёв, смонтированных специальной технологией спайки. Для компонентов памяти пятого поколения новая технология изменила способ и конструкцию сквозных соединений. В итоге: общую толщину удалось уменьшить на 40%. Теперь стек имеет физические размеры равные 16-гигабайтовым аналогам.

Микросхемы HBM — это высокоэффективные стеки с высокой пропускной способностью. Их топология характеризуется использованием вертикального соединения нескольких слоёв DRAM.

Продукт:

У памяти линейки HBM есть и перспективы. Разработчики утверждают, что теоретически потолок скорости находится на отметке 6,9 Тбайт/с. Другое дело, сможет ли процессор реализовать передачу данных с такой скоростью. Nvidia уже заявила о создании обновлённых чипов Grace Hopper GH200. Объём ГПУ буфера у них будет в пределах 96 — 144 Гб, а скорость интерфейса памяти до 5 Тбайт/с.