IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в проектировании полупроводниковых микросхем
Совместная разработка IBM и Samsung называется «вертикальными транспортными полевыми транзисторами» (VTFET). Система радикально отличается от современных моделей, в которых транзисторы лежат на поверхности кремния, рядом друг с другом, а электрический ток течет из стороны в сторону. VTFET предполагает многослойную конструкцию — в таких процессорах…
вертикальными транспортными полевыми транзисторами транзисторы лежат на поверхности кремния, рядом друг с другом, а электрический ток течет из стороны в сторону
Ясно.
Инженеры ИТ-гигантов отметили, что смартфоны и другая потребительская электроника, построенная на базе VTFET, сможет работать целую неделю без подзарядки
Энергопотребление процессоров смартфонов регулярно снижается, а они всё ещё работают по одному дню.