IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в проектировании полупроводниковых микросхем

Совместная разработка IBM и Samsung называется «вертикальными транспортными полевыми транзисторами» (VTFET). Система радикально отличается от современных моделей, в которых транзисторы лежат на поверхности кремния, рядом друг с другом, а электрический ток течет из стороны в сторону. VTFET предполагает многослойную конструкцию — в таких процессорах транзисторы расположены как параллельно, так и перпендикулярно друг другу, а ток течет вертикально.

Как сообщает Engadget, конструкция дает два ключевых преимущества для потенциальных клиентов IBM и Samsung. В первую очередь она позволит обойти ограничения производительности и в будущем расширит закон Мура — авторы хотят выйти за пределы существующей технологии нанолистов. В рамках совместного исследования IBM и Samsung выяснили, что даже тестовые образцы повышают вычислительный потенциал будущих процессоров в два раза. И они также могут снизить энергопотребление микросхем на 85%.

Инженеры ИТ-гигантов отметили, что смартфоны и другая потребительская электроника, построенная на базе VTFET, сможет работать целую неделю без подзарядки. Кроме того, новая технология может пригодиться в криптомайнинге, считают в IBM, — таким образом добыча криптовалюты станет более энергоэффективным и, следовательно, менее вредным для окружающей среды процессом.

Помимо Samsung и IBM, над аналогичными микросхемами также работают в компании Intel. В недавнем исследовании, посвященном технологическому прогрессу после 2025 года, аналитики Intel заявили, что вскоре крупнейшие ИТ-компании начнут переходить на трехмерные чипы — разработка станет сложнее и дороже, но сами технологии — на порядок производительнее.