IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в проектировании полупроводниковых микросхем
Совместная разработка IBM и Samsung называется «вертикальными транспортными полевыми транзисторами» (VTFET). Система радикально отличается от современных моделей, в которых транзисторы лежат на поверхности кремния, рядом друг с другом, а электрический ток течет из стороны в сторону. VTFET предполагает многослойную конструкцию — в таких процессорах…
У вертикальных структур будет решающее ограничение - теплоотведение. Если в планарных системах сейчас это большая головная боль, то в трёхмерных это стопкран. Поэтому частоты будут сильно занижаться, дабы снизитл выделение тепла. Вторым ограничением будет топология разводки, которая лежит всё также на поверхности. И разводка не позволит сильно увеличить концентрацию транзисторов на единицу площади. Третьим ограничением будут скоростные характеристики транзисторов, так как качество поверхности пластины намного лучше, чем поверхность в пробуренных плазмой каналах, и поэтому подвижность электронов в три-д будет значителлно ниже, а утечки будут больше.